江蘇鋁箔腐蝕高純水設(shè)備，電子級超純設(shè)備

江蘇鋁箔腐蝕高純水設(shè)備，電子級超純設(shè)備

 鋁箔的下道工序腐蝕和化成，也是腐蝕化成箔（又稱電極箔）產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵的環(huán)節(jié)：

      1) 腐蝕過程是以電子光箔為原材料，通過電化學(xué)方法刻蝕（Etching）電子光箔表面形成孔洞，從而增加陰極、陽極光箔的表面積，以提高其比電容而制成腐蝕箔；腐蝕技術(shù)決定比容高低——比容越高，電極箔需使用面積越小，電容器體積越小。

      2) 化成（Forming）是陽極腐蝕箔采用陽極氧化原理，根據(jù)對電極箔耐壓值要求的不同，采用不同的陽極氧化電壓（Vf），在其表面生成氧化薄膜（Al2O3）作為介電質(zhì)，制成腐蝕化成箔。化成技術(shù)決定電壓和容量損耗的大小——化成技術(shù)越高，越耐高壓，容量損耗小，壽命越長。

   腐蝕和化成工藝段會用到大量的去離子水對鋁箔清洗，水中的金屬離子會直接影響產(chǎn)品性能，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各種微電子行業(yè)用高純水，如半導(dǎo)體生產(chǎn)、電子二級管生產(chǎn)、電子線路板生產(chǎn)、新能源電池生產(chǎn)、鋁箔腐蝕化成生產(chǎn)用高純水設(shè)備。

   目前一般用高純水設(shè)備的水質(zhì)普遍要求在10兆歐以上，有的要求要達(dá)到15-18兆歐，基本上會采用二級反滲透+edi處理工藝和反滲透+離子交換混床工藝。

應(yīng)用領(lǐng)域和指標(biāo)要求參考：

主要工藝流程和出水指標(biāo)：

※預(yù)處理+一級反滲透（電導(dǎo)率≤10μs/CM）

※預(yù)處理+一級反滲透+離子交換器（電阻率5~10MΩ.CM）

※預(yù)處理+一級反滲透+EDI（電阻率5~10MΩ.CM）

※預(yù)處理+二級反滲透+EDI（電阻率10~15MΩ.CM）

（詳細(xì)工藝需根據(jù)原水設(shè)計(jì)情況進(jìn)行設(shè)計(jì)）